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元件参数资料
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参数目录38103
> FDJ128N MOSFET N-CH 20V 5.5A SC75-6
型号:
FDJ128N
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 20V 5.5A SC75-6
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
FDJ128N PDF
产品变化通告
Mold Compound Change 27/March/2008
产品目录绘图
MOSFET SC75-6 Pkg
标准包装
1
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
5.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
35 毫欧 @ 5.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
8nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
543pF @ 10V
功率 - 最大
1.6W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC75-6 FLMP
供应商设备封装
SC-75
包装
标准包装
产品目录页面
1608 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
FDJ128NDKR
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